【存储性能】作为移动设备的“硬盘”,厂家似乎不愿多谈。但是对于较真的人们来说,热门Android手机和iPhone之间,又可以拉出多大的差距呢?
外媒AnandTech特地对包括iPhone 6s Plus、三星Galaxy S7/S6/S6 edge、S5、小米Note Pro、华为P8/Mate 8/荣耀5X、LG G4、Google Nexus 5X/6P在内的十余款设备进行了磁盘性能测试。
令人惊讶的是,在内部闪存顺序读写测试中,iPhone 6s Plus均远远高于其它Android竞争对手。持续写入测试中,排名前三的分别为iPhone 6s Plus(163.20 MB/s)、三星Galaxy S7(64.49 MB/s)、以及Galaxy S6 / S6 edge(并列40.69 MB/s)。
在顺序读取测试中,排名前三的也是这几个,其中iPhone 6s Plus的成绩为402.35 MB/s、三星Galaxy S7为233.27MB/s、Galaxy S6/S6 edge并列208.69MB/s。
iPhone 6s之所以这么快(相较于iPhone 6),是因为苹果改变了内存的处理方式。根据AnandTech的详细所述,苹果选用了在MacBook SSD上创下惊人速度的主控,在将之改造后塞进了智能机中。
此外,报道还提到iPhone 6s采用了定制NAND闪存和NVMe协议,而不是UFS或传统的eMMC。iPad Pro、iPhone SE等2015款机型,也都使用了相同的存储类型。
在测试中,苹果的存储,轻松击败了搭载UFS 2.0闪存的Galaxy S6系列,即使后者已经算是相当快了。2月份的时候,三星宣布其UFS 2.0技术变得更快、容量也提升到了256GB —— 顺序读取可达850MB/s、持续写入也有260MB/s。
遗憾的是,在AnandTech的测试中,该公司最新款的Galaxy S7和Galaxy Note 7都没能打破iPhone 6s创下的纪录。在本周举办的“2016移动与物联网论坛”上,三星提到了UFS存储对于4K/8K/VR内容的意义。Cho Hee-chang预计,到2020年的时候,联网设备数量会达到500亿左右。
Galaxy S和Galaxy Note等产品上使用的UFS 2.0和UFS 2.1内置存储(其理论速度可达1.2GB/s),将于2018上半年提升至2.4GB/s。此外,三星还希望将UFS card v1.0(最新的microSD外置存储产品)的速度翻倍,从此前的600MB/s、提升到USF card v2.0的1.2GB/s。
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